型号:SI7900AEDN-T1-E3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:PowerPAK? 1212-8 | 描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8 |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8 |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 6A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 26 毫欧 @ 8.5A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 900mV @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 16nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | 1.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? 1212-8 |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
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